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TSM110NB04LDCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

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產(chǎn)品概述

型號 TSM110NB04LDCR RLG
廠家/品牌 Taiwan Semiconductor Corporation
產(chǎn)品描述 DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,
數(shù)據(jù)庫 TSM110NB04LDCR RLG.pdf
RoHs狀態(tài)
庫存狀況 In Stock
發(fā)貨地 Hong Kong
運(yùn)輸方式 DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

有現(xiàn)貨： 5000 pcs

參考價格(美元)
1
$1.05

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產(chǎn)品特性

  • 型號TSM110NB04LDCR RLG
  • 制造商Taiwan Semiconductor Corporation
  • 描述DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,
  • 產(chǎn)品分類44
  • 產(chǎn)品狀態(tài)5000 pcs Stock
  • 輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds1269pF @ 20V
  • 組態(tài)2 N-Channel (Dual)
  • 系列-
  • 類別Discrete Semiconductor Products-->Transistors-->FETs, MOSFETs-->FET, MOSFET Arrays
  • 電流 - 25°C連續(xù)排水（Id）10A (Ta), 48A (Tc)
  • 漏極至源極電壓（Vdss）40V
  • 柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs23nC @ 10V
  • 技術(shù)MOSFET (Metal Oxide)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 封裝/箱體8-PowerTDFN
  • 安裝類型Surface Mount
  • 基本產(chǎn)品編號TSM110
  • 包裹Tape & Reel (TR)
  • 功率 - 最大2W (Ta), 48W (Tc)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-PDFN (5x6)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)Active
  • VGS（TH）（最大）@標(biāo)識2.5V @ 250μA
  • RDS（ON）（最大值）@標(biāo)識，柵極電壓11mOhm @ 10A, 10V
  • FET特點(diǎn)-

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